Naxinwei帮助其中型桥设备安全加速，推出了一系列

Naxin Micro已正式推出了NSI6602MXEX系列NSI6602MXEX系列，这是一种汽车中级桥梁控制器芯片。基于NSI6602产品，该系列集成了镜夹的功能，并且还具有高隔离电压，低潜伏期，死区重合和低压阈值选择功能。适用于驱动SIC，IGBT和其他设备，可广泛用于新的OBC，DC/DC，主动悬架和其他场景。 NSI6602MXEX和NSI6602功能块的比较图5A镜面夹的功能有助于确保桥电路安全可靠。在现实世界的应用中，桥梁电路供应（例如OBC/DCDC），工业食品，电动机单元和其他桥梁电路供应供应，容易发生操作。特别是，当应用Poten Devicesthird的产生（例如SICS和GAN）时，门的阈值电压和最大公差电压的降低，导致constaNT降低抑制寄生传导的电压边缘。当使用传统的桥梁控制器芯片时，通常需要传输电路来避免镜子效应引起的桥梁臂。但是，在许多情况下，即使操作参数，正供应电压和负电源电压也经过仔细调整并优化了PCB门的参数参数。这不仅限制了诸如碳化硅等设备的性能，还限制了潜在的安全风险。在开关过程中，镜像效应的镜像纳克因原理启动了NSI6602MXEX系列。这两个中型桥驱动电路的功能镜夹5A的功能，提供了镜电流阻抗释放的最小部分，从而有效地抑制了交叉恒星电压的增加。 NSI6602MXEX是完全武装的AC绳索到NSI6602，以保护SIC等设备的安全性。 NSI6602MXEXE解决方案应用程序应用使用SIC功率设备具有较高的DV/DT特性，从而通常鼓励振动振幅为正换向电压（VSWING））。这种射击很容易引起对设备的方向或损坏。这是高性能驱动程序设计的巨大挑战。上图显示了SIC设备的Gate Costalk传统解决方案中的传统单元解决方案。这些传统的方法是“理论”，在高频和高压SIC应用中同时同时实现低损失和安全性的双重目标仍然很难。下图显示了SIC设备与NSI6602MXEX和无反光夹具控制器的传统芯片的比较测试的结果。在相同的驾驶参数和设计条件下，NSI6602MXEX可以显着抑制正面和负面的VSW。用足够的负压关闭后，可以将门dugi射抑制至安全范围。将几种设备的Crosstalkswing VSW与波形进行了比较。对于某些具有良好CISS/CRSS优化的设备，NSI6602MXEX可以提供dighotony控制能力，可以控制无电压而无需负电压，从而大大降低了系统设计的复杂性。固定的测试电路和NSI6602M NSI602M的上管NSI602M音调测试WoveFormXEX测试电路在打开时测试测试测试的波形±10A时，上管有助于简化外围电路的设计。 NSI6602MXEX提供了超级传导功能，可产生多达10A的水槽电流轮胎，并承认Riel到Rail。如果NSI6602MXEX直接导致较大的门负载（QG）或直接或多个并行应用程序或在多管的并行应用中，则NSI6602MXEX提供效率无需额外阻尼的操作，可以有效地简化外围电路设计。此外，最大的32V操作电压和35 V的最大支撑电压可能面临EOS的最大影响。配备了外围优化的驱动器设计，大大提高了电路系统的一般可靠性。 Dead可编程区域和多个阶段的副本阈值Prthey反对SI6602MXEX设计中有用的灵活配置，通过DT引脚进行了死区配置，并允许通过调节落下电阻来灵活地对不同的死区域时间进行柔性配置。另外，DT引脚可以直接连接到主VCC，以使用两个单元的并行输出。它与可用于DIS/IN的两个逻辑选项相结合，可为终端应用提供丰富的控制逻辑。此外，次级电源的UVLO提供了三个选项：8V，12V和17V。它适合P在IGBT和SIC应用中的各种功率设计方案中，在各种功率设计方案中旋转。 NSI6602MXEX产品特性：●您可以驾驶5700 VRMS孤立的电阻电压，高压和IGBTS SIC●高CMTI：150 kV/μStranssight传输传输传输传输：8V/12V/17V 3单位电源电压：●型号前进和反向序列：40n tempers weiment：●80N运算：●80N运算：●80N级别●40n tepers：●80n temers●40n tepers●40N ●AEC-Q100标准AEC-Q100标准数据包类型标准NSI6602MXEX在六个型号中可用。它可以灵活地启用丰富的逻辑配置和控制器功率副措施规格，从而使您可以适应各种应用程序方案。